Сентябрь 29th, 2024 
raven000 Организация G.Skill рассказала, что сумела разогнать одиночный модуль памяти DDR5 до действенной частоты 10 000 МГц с применением лишь легкого остывания. Кроме этого организация сообщила об удачной верификации комплектов материнской платы DDR5-8000 и DDR5-7800 совместным объёбог 32 Гигабайт (2 × 16 Гигабайт) любой — они готовы надежно работать в обозначенных режимах при применении профилей Intel XMP 3.0.
Ресурс фотографий: G.Skill
Изготовитель провёл ориентировочные исследования одиночного модуля памяти DDR5-8000, который был разметан до действенной частоты 10 000 МГц. Память работала при весьма больших задержках CL50-120-120-120-240. Анализ модуля ОЗУ также велся с применением передового микропроцессора Intel Core i9-13900K и исходной платы ASUS ROG Z790 Maximus. При этом, G.Skill подчёркивает, что при разгоне не применялось особое остывания. Использовалась лишь стандартная невесомая охлаждающая система для микропроцессора, сам же модуль память был «одет» в радиатор.
Верификация комплектов ОЗУ DDR5-8000 и DDR5-7800 велась с применением тестовой программы на основе микропроцессора Intel Core i9-13900K и исходной платы ASUS ROG Z790 Maximus. Набор ОЗУ DDR5-8000 прошёл удачную проверку с таймингами CL40-49-49-128. В масштабах тестирования AIDA64 память снабдила скорость чтения более 124 Гигабайт/с и скорость записи более 120 Гигабайт/с.
Набор памяти DDR5-7800 благополучно протестирован с таймингами CL38-47-47-125. В масштабах тестирования скорость чтения памяти составила больше 122 Гигабайт/с, но скорость записи — более 117 Гигабайт/с.
Опубликовано в рубрике 
