Североамериканские учёные продемонстрировали, как создавать чипсеты сверху вверх — в настоящее время их формируют напротив

По традиции полупроводниковая автография создаёт чипсеты снизу вверх по мере протравливания подложки всё поглубже и поглубже. Это комфортно, а значительно ограничивает детализацию на самом основательном уровне. Команда учёных из Массачусетского технического факультета (MIT) рекомендовала создавать чипсеты напротив — начиная от малейшего нанокирпичика на чистой подложке до готовых к работе трудных наноструктур, что должно сделать лучше характеристики электроники.

 Ресурс картинки: MIT

Ресурс картинки: MIT

В определённой стадии представленный процесс представляет из себя штамповку в качестве перевода рабочего источника по стандарту на кремниевую подложку. Такие способы применяются, а имеют 1 серьёзный дефицит: хром и чипсет измазываются или деформируются, что ведёт к увеличению значения промышленного брака, так как в ходе перевода для укрепления «строй» источника на подложке применяется клей, отпуск либо повышенное давление.

Ученые из MIT пошли по другому пути. Они сумели расчётливо приказать ядерными и молекулярными силами, которые фиксировали микрочастицы на плоскости кремниевой подложки лучше любого клея. Строго говоря, учёные использовали 2 вида явлений — капиллярное перемещение жидкостей и силы Ван-дер-Ваальса.

Микрочастицы стройматериала в качестве кубиков со гранями 50 hm в капле воды наносились на стандарт, затем происходил процесс однородного расположения нанокирпичиков по стандарту. Этому содействовали капиллярные появления. После этого чертеж любого пласта (стандарт) выносился на случайную подложку, к примеру, кремниевую. Жидкость также содействовала выносу чертежа из микрочастиц на подложку. Когда она подсыхала, микрочастицы возобновляли сдерживаться на подложке, а за счёт иного появления — за счёт силы Ван-дер-Ваальса. Эти силы оказываются довольно надёжным «цементом» (действуя на границе раздела подложки и микрочастицы), что бы чертеж надежно липнул к подложке с точностью до любой микрочастицы.

«Эти силы везде где только можно популярны и довольно часто могут быть гибельными при производстве наноразмерных субъектов, так как они могут привести к уничтожению строений. А нам предоставляется возможность разработать методы весьма четкого регулирования данными силами, что бы применять их для регулирования действиями на наноуровне», — сообщил один из создателей изучения.

При подобном переводе микрочастиц уровень брака понижается до менее 5 %, передают учёные. Плоскость подложки остаётся непочатой: никакие растворители и клеи не применяются, что улучшает аккуратность изготовления. В будущем представленное решение сможет помочь формировать электронные детали нанометровых габаритов с высшей ступенью детализации и правильности, что скорее всего усовершенствует работу полупроводниковых устройств.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий