Август 12th, 2024 
raven000 Организация «Самсунг» рассказала о старте глобального изготовления чипов флеш-памяти 3D V-NAND TLC нового, 8-го поколения, сообщает сайт Tom’s Hardware. Свежие микросхемы имеют ёмкость 1 Тбит (128 Гигабайт) и, скорее всего, заключаются из 236 слоёв, впрочем сама «Самсунг» не конкретизирует этот нюанс. Изготовитель только именует новинки флеш-памятью с высочайшей насыщенностью битов в области.
Ресурс картинки: «Самсунг»
Микросхемы флеш-памяти «Самсунг» 3D V-NAND TLC 8-го поколения готовы снабдить скорость передачи на уровне 2400 МТ/с и в купе с современными контроллерами могут применяться в составе потребительских твердотельных накопителей с внешним видом PCIe 5.0. Со слов «Самсунг», такие SSD предложат скорость передачи данных более 12,4 Гигабайт/с.
«Самсунг» заявляет, что применение новой технологии изготовления сделало возможным приобретать больше памяти с одной кремниевой пластинки — прирост составил 20 % сравнивая с производимыми раньше микросхемами флэш-памяти той же ёмкости. В итоге это позволит понизить производственные траты, и вероятно может обозначать не менее дешёвые твердотельные накопители для покупателей.
Детали архитектуры свежих чипов 3D V-NAND TLC 8-го поколения организация не открывает. Как сообщает сайт Tom’s Hardware, как и прочие изготовители, «Самсунг» приобретает память с не менее чем 200 пластами оковём кладки друг на дружку 128-слойных кристаллов. В ходе «притирки» часть слоёв пропадает, что не дает возможность достичь эталона в качестве 256-слойных микросхем 3D NAND, а никто не вредит к нему стремится. Так раньше в 2018 году Micron продемонстрировала чипсеты 3D NAND с 232 пластами, но SK hynix — с 238 пластами.
О первых продуктах на основе свежих чипов флеш-памяти «Самсунг» пока также ничего не свидетельствует.
Опубликовано в рубрике 
